记者13日从我国科学技术大学得悉，该校微电子学院特任研讨员胡芹课题组在无铅钙钛矿

  课题组针对非铅锡基钙钛矿半导体存在的自掺杂严峻、缺点密度高、非辐射复合丢失大等问题，成功构建钙钛矿同质结，以促进光生载流子的别离和提取。这证明了同质结构筑战略在锡基钙钛矿范畴的使用潜力，也为其他钙钛矿光电器材的结构优化供给了新思路。该效果日前发表于世界闻名期刊《纳米快报》，并被选为封面论文。

  现在，高功率钙钛矿光伏器材以铅基钙钛矿为主，但其含有重金属铅，对生态环境和公共健康具有潜在损害。而非铅锡基钙钛矿具有更高的理论功率和较低的毒性，但器材的光电转化功率与理论值相差较远。

  研讨人员对锡基钙钛矿半导体资料来掺杂规划，通过将锗离子引进到活性层中，完成了锗离子的梯度掺杂和同质结构筑，从而促进了光生载流子的别离和提取。通过进一步器材工艺优化，同质结光伏器材的暗电流降低了两个数量级，缺点密度降低了一个数量级，功率转化功率从11.2%提高至13.2%，在上限功率点接连运转250分钟后仍就坚持初始功率的95%以上，具有十分杰出的稳定性。

  研讨人员表明，这项研讨提醒了同质结构筑的微观机理，也为锡基钙钛矿半导体光电器材的结构规划和能级调控供给了一种牢靠计划。