微导纳米深耕薄膜堆积设备范畴，以ALD技能为中心不断完成技能打破。公司率先将ALD使用于光伏范畴，产品矩阵包含ALD设备与PECVD设备，掩盖多家龙头电池片厂商，交给的无锡尚德整线%。半导体范畴，公司研制出的高k栅氧层ALD设备已完成出售，获得28nm节点中国产ALD设备技能打破。公司三年营收增速皆超30%，ALD设备凭仗技能壁垒完成高毛利，手握19.75亿元在手订单，助力成绩稳攀顶峰。

  归纳比较PVD/RPD/CVD/ALD四大技能途径，物理堆积与化学堆积的首要不同之处在于：化学堆积的细密性与均匀性更优，精密度高，更合适堆积杂乱结构；物理堆积合适平面结构，镀要求较低的膜层。ALD在超薄与杂乱结构中表现无法代替性：

  光伏：技能途径的挑选终究归于平衡降本增效，ALD在超薄膜层如虎添翼，如TOPCon电池中的氧化铝钝化层与隧穿氧化层。

  半导体：制程缩小趋势下，ALD必不可少。在制程进入28nm后，器材结构不断缩小且更为立体化，CVD与PVD难以担任。

  3）光伏范畴：高效电池未来已来，公司设备有望乘风而起N型技能转化功率极限高，归纳功能优，下流扩产潮翻开设备商场增加空间。对公司产品线地点商场进行测算，估计23年商场空间可打破百亿元。

  TOPCon电池：与PERC比较，公司设备价值量在TOPCon产线建造的出资比重上升至约36%。TOPCon范畴国产ALD设备企业稀疏，公司市占率高达70%，依据发表的出售合同计算2022年新签设备订单12亿元。

  HJT/钙钛矿电池：PECVD设备在HJT产线%，ALD在HJT和钙钛矿电池范畴有望扩展使用。

  4）半导体范畴：国产ALD拓荒者，等待拓宽多样使用半导体ALD设备国产化率低，公司设备功能比肩世界同类厂商，有望完成国产代替，设备需求或迎来放量，估计23年ALD设备需求有望打破10亿。

  逻辑芯片：高K资料ALD设备国产破局者，打破国外技能独占；ALD在FinFET亦有使用。

  存储芯片：新式存储器开展迅猛，公司ALD设备已使用于FeRAM电容介质层；传统存储器中由2D到3DNANDFlash堆叠层数增加，拉动ALD设备需求。

  危险提示：商场需求下滑危险；新产品开发危险；产品验证与交给进展没有抵达预期；产品毛利率动摇危险；测算存在主观性，仅供参考。